INDEOtec OCTOPUS III
INDEOtec OCTOPUS III
INDEOtec OCTOPUS III
OCTOPUS III是一款用于异质结高效电池(HJT)批量生产的全自动薄膜沉积系统(PECVD)。经过优化的团簇平台配置,以及专利的PECVD工艺腔,可实现高质量钝化层,占地面积小,且显著减少搬送步骤。
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  • 基本参数
  • 产品优势
  • 产品应用
  • 产量约:3300 硅片/小时 (可扩展)

    占地面积约.: 10.67m x 6.45m

    每个双面载盘可承载36片硅片(生产时工艺腔放置3个载盘,共108硅片)

    4 个反应器/工艺腔(2 for Top and 2 for Bottom)

    专利RF-VHF沉积设计

    专利镜面反应器概念

    抗交叉污染处理

    无需破真空

    无需翻转硅片

    镜面反应器概念可适用于薄硅片

    PECVD

    √Semi-conducting Layers: a-Si:H, μc-Si:H, nc-Si:H, SiGe:H

    √AR and Passivation layers: SiNx, SiONx, AIOx, TiOx, MoOx


    PVD

    √TCO layers: ITO, AZO

    √Metal layers: Ag, Al, Cr


    Industires:

    √PV: Heterojunction cell devices (HJT)

    √Optical coating: Filters (Bandpass, IR, UV, Color correction) etc.

    √Semi: MEMS

    Delivering growth – in Asia and beyond.

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